Name: IRF7329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7329PBFTR-ND
Price: 7.4292 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7329TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7329PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7329PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7329PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7329TRPBF
Opis	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 12V 9,2A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,2A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17mOhm przy 9,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3450pF przy 10V
Moc - maks.	2W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Bazowy numer produktu	IRF732