Name: SI4403DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4403DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.9729 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4403DDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4403DDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4403DDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4403DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4403DDY-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 15,4A (Tc) 5W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4403DDY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 99 nC @ 8 V
Seria TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3250 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15,4A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI4403
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14mOhm przy 9A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 60 773

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)