SI4435FDY-T1-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 122
Cena jednostkowa : 5,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 2 415
Cena jednostkowa : 1,24000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 1 038
Cena jednostkowa : 1,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 2 252
Cena jednostkowa : 1,06000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 9 358
Cena jednostkowa : 1,16000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,25000 zł
Arkusz danych

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 1 973
Cena jednostkowa : 0,91000 zł
Arkusz danych

Similar


YAGEO XSEMI
W magazynie: 14
Cena jednostkowa : 0,45000 zł
Arkusz danych
Kanał P 30 V 12,6A (Tc) 4,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4435FDY-T1-GE3

Numer produktu DigiKey
SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Numer produktu producenta
SI4435FDY-T1-GE3
Opis
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta
31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 30 V 12,6A (Tc) 4,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SI4435FDY-T1-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
19mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1500 pF @ 15 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
4,8W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOIC
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
12,61000 zł2,61 zł
101,61800 zł16,18 zł
1001,04070 zł104,07 zł
5000,79214 zł396,07 zł
1 0000,71189 zł711,89 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 5000,62494 zł1 562,35 zł
5 0000,57114 zł2 855,70 zł
7 5000,54373 zł4 077,98 zł
12 5000,51293 zł6 411,62 zł
17 5000,49469 zł8 657,08 zł
25 0000,47696 zł11 924,00 zł
62 5000,46205 zł28 878,12 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:2,61000 zł
Cena jednostkowa z VAT:3,21030 zł