Name: SI4435FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4435FDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4435FDY-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 12,6A (Tc) 4,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4435FDY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1500 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 4,8W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12,6A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI4435
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19mOhm przy 9A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 100 033

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)