Name: SI3433CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3433CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 3.6162 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI3433CDV-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI3433CDV-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI3433CDV-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI3433CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI3433CDV-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 6A (Tc) 1,6W (Ta), 3,3W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 45 nC @ 8 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1300 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta), 3,3W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI3433
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 38mOhm przy 5,2A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 25 664

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)