Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 5.6949 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTF6P02T3G
Numer produktu DigiKey	NTF6P02T3GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTF6P02T3G
Opis	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 10A (Ta) 8,3W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223 (TO-261)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTF6P02T3G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1200 pF @ 16 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 8,3W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223 (TO-261)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 50mOhm przy 6A, 4,5V	Bazowy numer produktu NTF6P02