TK15A60D(STA4,Q,M) jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 67
Cena jednostkowa : 15,94000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 72
Cena jednostkowa : 13,32000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 789
Cena jednostkowa : 14,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 030
Cena jednostkowa : 18,21000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 400
Cena jednostkowa : 8,01000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 430
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 343
Cena jednostkowa : 15,48000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 325
Cena jednostkowa : 9,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 197
Cena jednostkowa : 13,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,66000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 678
Cena jednostkowa : 7,40000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 603
Cena jednostkowa : 18,53000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 15A (Ta) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK15A60D(STA4,Q,M)

Numer produktu DigiKey
TK15A60D(STA4QM)-ND
Producent
Numer produktu producenta
TK15A60D(STA4,Q,M)
Opis
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 15A (Ta) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
45 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2600 pF @ 25 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220SIS
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
370mOhm przy 7,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (13)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
FCPF11N60onsemi67FCPF11N60-ND15,94000 złSimilar
FCPF380N60onsemi72FCPF380N60FS-ND13,32000 złSimilar
FCPF380N60Eonsemi1 789FCPF380N60E-ND14,00000 złSimilar
FCPF400N80Zonsemi1 030FCPF400N80Z-ND18,21000 złSimilar
IPA60R360P7XKSA1Infineon Technologies400IPA60R360P7XKSA1-ND8,01000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.