SIHF15N60E-E3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Vishay Siliconix
W magazynie: 725
Cena jednostkowa : 3,52000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 383
Cena jednostkowa : 3,01000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 292
Cena jednostkowa : 3,19000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,14117 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 937
Cena jednostkowa : 3,71000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 948
Cena jednostkowa : 4,03000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 78
Cena jednostkowa : 3,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 914
Cena jednostkowa : 3,25000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,34450 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,92260 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,98402 zł
Arkusz danych
SIHF12N60E-GE3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHF15N60E-E3

Numer produktu DigiKey
SIHF15N60E-E3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHF15N60E-E3
Opis
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 15A (Tc) 34W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
280mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1350 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
34W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220, pełny pakiet
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
114,90000 zł14,90 zł
109,79400 zł97,94 zł
1006,89290 zł689,29 zł
5005,65374 zł2 826,87 zł
1 0005,25583 zł5 255,83 zł
2 0005,07825 zł10 156,50 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:14,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:18,32700 zł