TK13A55DA(STA4,QM) nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

AOTF12N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,86867 zł
Arkusz danych

Similar

AOTF12N50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar

AOTF13N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,99688 zł
Arkusz danych

Similar

FDPF12N50NZ
onsemi
W magazynie: 1 017
Cena jednostkowa : 9,74000 zł
Arkusz danych

Similar

FDPF13N50FT
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FQPF11N50CF
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FQPF13N50CF
onsemi
W magazynie: 819
Cena jednostkowa : 14,75000 zł
Arkusz danych

Similar

IPA50R520CPXKSA1
Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 17 824
Cena jednostkowa : 3,87961 zł
Arkusz danych

Similar

IRFIB7N50APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 130
Cena jednostkowa : 18,63000 zł
Arkusz danych

Similar

RJK4007DPP-M0#T2
Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

STF11NM50N
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,08048 zł
Arkusz danych

Similar

STF13NK50Z
STMicroelectronics
W magazynie: 1 720
Cena jednostkowa : 9,77000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
TO-220-3 Full Pack
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK13A55DA(STA4,QM)

Numer produktu DigiKey
TK13A55DA(STA4QM)-ND
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TK13A55DA(STA4,QM)
Opis
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 550 V 12,5A (Ta) 45W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
π-MOSVII
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
550 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
480mOhm przy 6,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220SIS
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
TK13A55
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,65000 zł13,65 zł
506,92620 zł346,31 zł
1006,27510 zł627,51 zł
5005,13358 zł2 566,79 zł
1 0004,76693 zł4 766,93 zł
2 0004,69853 zł9 397,06 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,65000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,78950 zł