TK12A53D(STA4,Q,M) nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

AOTF12N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,86867 zł
Arkusz danych

Similar

AOTF12N50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar

AOTF13N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,99688 zł
Arkusz danych

Similar

FDPF12N50NZ
onsemi
W magazynie: 1 017
Cena jednostkowa : 9,74000 zł
Arkusz danych

Similar

FDPF13N50FT
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FQPF11N50CF
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FQPF13N50CF
onsemi
W magazynie: 819
Cena jednostkowa : 14,75000 zł
Arkusz danych

Similar

IPA50R520CPXKSA1
Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 17 824
Cena jednostkowa : 3,87961 zł
Arkusz danych

Similar

IRFIB7N50APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 130
Cena jednostkowa : 18,63000 zł
Arkusz danych

Similar

STF11NM50N
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,08048 zł
Arkusz danych

Similar

STF13NK50Z
STMicroelectronics
W magazynie: 1 720
Cena jednostkowa : 9,77000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
TO-220-3 Full Pack
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK12A53D(STA4,Q,M)

Numer produktu DigiKey
TK12A53D(STA4QM)-ND
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TK12A53D(STA4,Q,M)
Opis
MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 525 V 12A (Ta) 45W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
π-MOSVII
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
525 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
580mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1350 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220SIS
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
TK12A53
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
111,71000 zł11,71 zł
505,87140 zł293,57 zł
1005,30370 zł530,37 zł
5004,30892 zł2 154,46 zł
1 0003,98933 zł3 989,33 zł
2 0003,82013 zł7 640,26 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:11,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:14,40330 zł