IPP60R385CPXKSA1 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

STP10NK80Z
STMicroelectronics
W magazynie: 932
Cena jednostkowa : 19,36000 zł
Arkusz danych

Similar

IRF830A
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IRF830APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 1 832
Cena jednostkowa : 10,61000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFBC30APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 775
Cena jednostkowa : 13,69000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP12N65X2
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,28963 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP12N70X2M
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,29080 zł
Arkusz danych

Similar

STP12N65M5
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,65157 zł
Arkusz danych

Similar

STP13N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 659
Cena jednostkowa : 8,53000 zł
Arkusz danych

Similar

STP13NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 349
Cena jednostkowa : 18,70000 zł
Arkusz danych

Similar

TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 70
Cena jednostkowa : 16,87000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
PG-TO220-3-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP60R385CPXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IPP60R385CPXKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPP60R385CPXKSA1
Opis
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 9A (Tc) 83W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IPP60R385CPXKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
385mOhm przy 5,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 340µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
790 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
83W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
IPP60R385
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5003,58050 zł1 790,25 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:3,58050 zł
Cena jednostkowa z VAT:4,40402 zł