Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IXTP8N65X2M | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP8N65X2M |
Opis | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 41 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 550mOhm przy 4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 800 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 32W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 12
Zapas fabryczny: 1 450
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 14,82000 zł | 14,82 zł |
| 50 | 7,55500 zł | 377,75 zł |
| 100 | 6,85120 zł | 685,12 zł |
| 500 | 5,61818 zł | 2 809,09 zł |
| 1 000 | 5,22220 zł | 5 222,20 zł |
| 2 000 | 5,04074 zł | 10 081,48 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 14,82000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 18,22860 zł |
Polska