
IXTP8N65X2M | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP8N65X2M |
Opis | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 21 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 800 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 32W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 550mOhm przy 4A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP600N60Z | onsemi | 143 | FCP600N60ZOS-ND | 11,20000 zł | Similar |
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 945 | SPP07N60C3XKSA1-ND | 11,06000 zł | Similar |
| STP10NM60ND | STMicroelectronics | 626 | 497-12276-ND | 9,87000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 17,27000 zł | 17,27 zł |
| 50 | 8,87580 zł | 443,79 zł |
| 100 | 8,06490 zł | 806,49 zł |
| 500 | 6,64456 zł | 3 322,28 zł |
| 1 000 | 6,18849 zł | 6 188,49 zł |
| 2 000 | 5,80523 zł | 11 610,46 zł |
| 5 000 | 5,68738 zł | 28 436,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 17,27000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 21,24210 zł |

