MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GCMX003A120S3B1-N

Numer produktu DigiKey
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Producent
Numer produktu producenta
GCMX003A120S3B1-N
Opis
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Standardowy czas realizacji przez producenta
22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
5,5mOhm przy 300A, 20V
Producent
SemiQ
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 120mA
Seria
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
1408nC przy 20V
Opakowanie
Skrzynka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
41400pF przy 800V
Status części
Aktywny
Moc - maks.
2113W (Tc)
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Temperatura robocza
-40°C - 175°C (TJ)
Konfiguracja
2 kanały N (półmostek)
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Obudowa / skrzynia
Moduł
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
625A (Tc)
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 25
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Skrzynka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1917,23000 zł917,23 zł
15825,70467 zł12 385,57 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:917,23000 zł
Cena jednostkowa z VAT:1 128,19290 zł