
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | GCMX003A120S3B1-N |
Opis | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montaż na podstawie montażowej |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,5mOhm przy 300A, 20V |
Producent SemiQ | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 120mA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1408nC przy 20V |
Opakowanie Skrzynka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 41400pF przy 800V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 2113W (Tc) |
Technologia Węglik krzemu (SiC) | Temperatura robocza -40°C - 175°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek) | Typ mocowania Montaż na podstawie montażowej |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200V (1,2kV) | Obudowa / skrzynia Moduł |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 625A (Tc) |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 917,23000 zł | 917,23 zł |
| 15 | 825,70467 zł | 12 385,57 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 917,23000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1 128,19290 zł |









