Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
GCMX005A120S3B1-N | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1560-GCMX005A120S3B1-N-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | GCMX005A120S3B1-N |
Opis | 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1531W (Tc) Montaż na podstawie montażowej |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | SemiQ | |
Seria | ||
Opakowanie | Skrzynka | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 424A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 7mOhm przy 200A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 80mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 901nC przy 20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 26400pF przy 800V | |
Moc - maks. | 1531W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | - |
W magazynie: 20
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Skrzynka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 746,67000 zł | 746,67 zł |
| 15 | 650,29400 zł | 9 754,41 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 746,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 918,40410 zł |
