Name: GCMX2P3B120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Price: 742.182 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GCMX2P3B120S3B1-N
Numer produktu DigiKey	1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Producent	SemiQ
Numer produktu producenta	GCMX2P3B120S3B1-N
Opis	GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm @ 300A, 18V
Producent SemiQ	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 120mA
Seria QSiC™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1566nC @ 18V
Opakowanie Skrzynka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 42900pF @ 800V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1705W (Tc)
Technologia Węglik krzemu (SiC)	Temperatura robocza -40°C - 175°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek)	Typ mocowania Montaż na podstawie montażowej
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200V (1,2kV)	Obudowa / skrzynia Moduł
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 608A (Tc)