Name: SCT3080ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3080ALGC11-ND
Price: 59.532 PLN
Availability: InStock

Kanał N 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Otwór przelotowy TO-247N

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT3080ALGC11
Numer produktu DigiKey	SCT3080ALGC11-ND
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SCT3080ALGC11
Opis	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Otwór przelotowy TO-247N
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 5mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48 nC @ 18 V
Opakowanie Rurka	Vgs (maks.) +22V, -4V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 571 pF @ 500 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 134W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-247N
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V	Obudowa / skrzynia TO-247-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 104mOhm przy 10A, 18V	Bazowy numer produktu SCT3080

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 413

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	48,40000 zł	48,40 zł
30	29,21367 zł	876,41 zł
120	25,00517 zł	3 000,62 zł
510	22,35273 zł	11 399,89 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.