
IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R040M2HXKSA1 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 4,6mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 28 nC @ 18 V |
Seria | Vgs (maks.) +23V, -7V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 997 pF @ 400 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 172W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-40 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 36mOhm przy 22,9A, 20V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 39,82000 zł | 39,82 zł |
| 30 | 23,33067 zł | 699,92 zł |
| 120 | 19,70600 zł | 2 364,72 zł |
| 510 | 17,05110 zł | 8 696,06 zł |
| 1 020 | 16,08287 zł | 16 404,53 zł |
| 2 010 | 15,28546 zł | 30 723,77 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 39,82000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 48,97860 zł |





