Kanał N 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMW65R040M2HXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IMW65R040M2HXKSA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMW65R040M2HXKSA1
Opis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 4,6mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
28 nC @ 18 V
Seria
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
997 pF @ 400 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
172W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-3-40
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
36mOhm przy 22,9A, 20V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 516
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
139,82000 zł39,82 zł
3023,33067 zł699,92 zł
12019,70600 zł2 364,72 zł
51017,05110 zł8 696,06 zł
1 02016,08287 zł16 404,53 zł
2 01015,28546 zł30 723,77 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:39,82000 zł
Cena jednostkowa z VAT:48,97860 zł