Kanał N 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Otwór przelotowy TO-247N
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Otwór przelotowy TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3120ALGC11

Numer produktu DigiKey
SCT3120ALGC11-ND
Producent
Numer produktu producenta
SCT3120ALGC11
Opis
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Otwór przelotowy TO-247N
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SCT3120ALGC11 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 3,33mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
38 nC @ 18 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
+22V, -4V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
460 pF @ 500 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
103W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247N
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
156mOhm przy 6,7A, 18V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 282
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
138,24000 zł38,24 zł
3022,62200 zł678,66 zł
12019,19225 zł2 303,07 zł
51016,67996 zł8 506,78 zł
1 02016,42791 zł16 756,47 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:38,24000 zł
Cena jednostkowa z VAT:47,03520 zł