Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IMW65R107M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R107M1HXKSA1 |
Opis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 20A (Tc) 75W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-41 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IMW65R107M1HXKSA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 142mOhm przy 8,9A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,7V przy 3mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 15 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 496 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 75W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO247-3-41 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 346
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 25,49000 zł | 25,49 zł |
| 30 | 14,57400 zł | 437,22 zł |
| 120 | 12,17308 zł | 1 460,77 zł |
| 510 | 10,41361 zł | 5 310,94 zł |
| 1 020 | 9,77176 zł | 9 967,20 zł |
| 2 010 | 9,59919 zł | 19 294,37 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 25,49000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 31,35270 zł |
Produkt powiązanyZobacz wszystko
4 Pozycje
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
8 Pozycje
Polska