Name: NVMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 26.937 PLN
Availability: OutOfStock

NVMFS6H800NLT1G nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 14,90000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFS6H800NLT1G
Numer produktu DigiKey	488-NVMFS6H800NLT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMFS6H800NLT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFS6H800NLT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMFS6H800NLT1G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 112 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6900 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Ta), 224A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,9mOhm przy 50A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 330µA	Bazowy numer produktu NVMFS6