Name: NVMFS6H800NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H800NT1GOSTR-ND
Price: 28.1301 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFS6H800NT1G
Numer produktu DigiKey	NVMFS6H800NT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMFS6H800NT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMFS6H800NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFS6H800NT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 85 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5530 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 28A (Ta), 203A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,1mOhm przy 50A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 330µA	Bazowy numer produktu NVMFS6