Name: IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND
Price: 19.2249 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUCN08S7L013ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUCN08S7L013ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUCN08S7L013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUCN08S7L013ATMA1
Opis	MOSFET_(75V 120V(
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 293A (Tj) 219W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-53
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	293A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,26mOhm przy 88A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 131µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9554 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	219W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-53
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN