NDS356P onsemi | Półprzewodniki dyskretne

NDS356P jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

onsemi

W magazynie: 33 363

Cena jednostkowa : 2,60000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,50000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,23000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 18 522

Cena jednostkowa : 1,54000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NDS356P
Numer produktu DigiKey	NDS356PTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NDS356P
Opis	MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 1,1A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	210mOhm przy 1,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	180 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	NDS356