Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 3.3579 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN352AP
Numer produktu DigiKey	FDN352APTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN352APCT-ND - Taśma cięta (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN352AP
Opis	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDN352AP Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 150 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,3A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDN352
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 1,3A, 10V