Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 3.198 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN352AP
Numer produktu DigiKey	FDN352APTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN352APCT-ND - Taśma cięta (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN352AP
Opis	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDN352AP Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 1,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	150 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	FDN352

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 33 363

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)