BSH205G2R Nexperia USA Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSH205G2R nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Similar

FDN336P

onsemi

W magazynie: 27 205

Cena jednostkowa : 2,43000 zł

Arkusz danych

Similar

NTR1P02T1G

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,74000 zł

Arkusz danych

Similar

NVR1P02T1G

onsemi

W magazynie: 46

Cena jednostkowa : 2,33000 zł

Arkusz danych

Similar

SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,21000 zł

Arkusz danych

Similar

TSM260P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

W magazynie: 17 474

Cena jednostkowa : 2,82000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał P 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Montaż powierzchniowy TO-236AB

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSH205G2R
Numer produktu DigiKey	1727-2247-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-2247-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-2247-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	BSH205G2R
Opis	MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Montaż powierzchniowy TO-236AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSH205G2R Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
Prod. Nexperia USA Inc.	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 418 pF @ 10 V
Status części Produkt wycofany z oferty DigiKey	Straty mocy (maks.) 480mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-236AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 170mOhm przy 2A, 4,5V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (maks.) przy Id 950mV przy 250µA	Bazowy numer produktu BSH205

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (5)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
FDN336P	onsemi	27 205	FDN336PCT-ND	2,43000 zł	Similar
NTR1P02T1G	onsemi	0	NTR1P02T1GOSCT-ND	1,74000 zł	Similar
NVR1P02T1G	onsemi	46	NVR1P02T1GOSCT-ND	2,33000 zł	Similar
SSM3J325F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	0	SSM3J325FLFCT-ND	1,21000 zł	Similar
TSM260P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	17 474	1801-TSM260P02CXRFGCT-ND	2,82000 zł	Similar

W magazynie: 0

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.

Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko

9 Pozycje