Name: FDS6975
Brand: onsemi
SKU: FDS6975TR-ND
Price: 8.6469 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS6975
Numer produktu DigiKey	FDS6975TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS6975CT-ND - Taśma cięta (CT) FDS6975DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS6975
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6A 900mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDS6975 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	32mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20nC przy 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1540pF przy 15V
Moc - maks.	900mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	FDS69