


FDS4935BZ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FDS4935BZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS4935BZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDS4935BZDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | FDS4935BZ |
Opis | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 6,9A 900mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FDS4935BZ Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 6,9A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 22mOhm przy 6,9A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 40nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1360pF przy 15V | |
Moc - maks. | 900mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,21000 zł | 5,21 zł |
| 10 | 3,30400 zł | 33,04 zł |
| 100 | 2,19430 zł | 219,43 zł |
| 500 | 1,71884 zł | 859,42 zł |
| 1 000 | 1,56577 zł | 1 565,77 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,40008 zł | 3 500,20 zł |
| 5 000 | 1,29768 zł | 6 488,40 zł |
| 7 500 | 1,24553 zł | 9 341,48 zł |
| 12 500 | 1,21874 zł | 15 234,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,21000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,40830 zł |










