Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 3.9606 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC658AP
Numer produktu DigiKey	FDC658APTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC658APCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC658AP
Opis	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 4A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC658AP Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	50mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.1 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	470 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,6W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SuperSOT™-6
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	FDC658

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 699

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)