Name: FDB047N10
Brand: onsemi
SKU: FDB047N10TR-ND
Price: 21.8817 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB047N10
Numer produktu DigiKey	FDB047N10TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB047N10CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB047N10DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB047N10
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDB047N10 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,7mOhm przy 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15265 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	FDB047