Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 24.2064 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB038N12N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB038N12N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB038N12N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 270µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 211 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13800 pF @ 60 V
Status części Nie do nowych projektów	Straty mocy (maks.) 300W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 120 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPB038
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,8mOhm przy 100A, 10V