APT56F60B2 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,37979 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 44
Cena jednostkowa : 24,89000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 230
Cena jednostkowa : 29,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 790
Cena jednostkowa : 28,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 98
Cena jednostkowa : 19,79000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 67,19993 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 232
Cena jednostkowa : 73,36000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 139,82000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 58,55893 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 467
Cena jednostkowa : 25,04000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Otwór przelotowy T-MAX™ [B2]
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

APT56F60B2

Numer produktu DigiKey
APT56F60B2-ND
Producent
Numer produktu producenta
APT56F60B2
Opis
MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
Standardowy czas realizacji przez producenta
26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Otwór przelotowy T-MAX™ [B2]
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
110mOhm przy 28A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 2,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
11300 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1040W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
T-MAX™ [B2]
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3081,53500 zł2 446,05 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:81,53500 zł
Cena jednostkowa z VAT:100,28805 zł