AOK42S60L jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 23,79000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 519
Cena jednostkowa : 29,54000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 423
Cena jednostkowa : 27,38000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 337
Cena jednostkowa : 25,51000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 280
Cena jednostkowa : 28,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 253
Cena jednostkowa : 20,28000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 103
Cena jednostkowa : 34,40000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 300
Cena jednostkowa : 72,54000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 143,29000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 60,01167 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 38,35047 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 38
Cena jednostkowa : 104,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,92962 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 524
Cena jednostkowa : 31,62000 zł
Arkusz danych
AOK20B65M2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOK42S60L

Numer produktu DigiKey
785-1535-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOK42S60L
Opis
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 39A (Tc) 417W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
99mOhm przy 21A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,8V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2154 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
417W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.