FCH130N60 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


onsemi
W magazynie: 263
Cena jednostkowa : 26,24000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 103
Cena jednostkowa : 34,40000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 564
Cena jednostkowa : 41,98000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 300
Cena jednostkowa : 72,54000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 6
Cena jednostkowa : 105,04000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 68,86703 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 74,41000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 263
Cena jednostkowa : 75,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 60,01167 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 38,35047 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 38
Cena jednostkowa : 104,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 531
Cena jednostkowa : 25,77000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 487
Cena jednostkowa : 42,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 26
Cena jednostkowa : 23,13000 zł
Arkusz danych
TO-247-3 AD EP
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCH130N60

Numer produktu DigiKey
FCH130N60-ND
Producent
Numer produktu producenta
FCH130N60
Opis
MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FCH130N60 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
130mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3590 pF @ 380 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
278W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.