IXTA24N65X2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 197
Cena jednostkowa : 24,06000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 310
Cena jednostkowa : 23,44000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 184
Cena jednostkowa : 14,01000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 3 490
Cena jednostkowa : 13,87000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 3 286
Cena jednostkowa : 16,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 811
Cena jednostkowa : 17,46000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,57080 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,49000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,33680 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 589
Cena jednostkowa : 17,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,50000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 688
Cena jednostkowa : 26,19000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 357
Cena jednostkowa : 15,63000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 981
Cena jednostkowa : 29,20000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 24A (Tc) 390W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTA24N65X2

Numer produktu DigiKey
IXTA24N65X2-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXTA24N65X2
Opis
MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 24A (Tc) 390W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
145mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2060 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
390W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263AA
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
123,62000 zł23,62 zł
5012,55760 zł627,88 zł
10011,49020 zł1 149,02 zł
5009,62134 zł4 810,67 zł
1 0009,42185 zł9 421,85 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:23,62000 zł
Cena jednostkowa z VAT:29,05260 zł