Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 17.2323 PLN
Availability: InStock

IPB60R160P6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R160P6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 23,8A (Tc) 176W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R160P6ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 750µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2080 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	176W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R160

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	4,89210 zł	4 892,10 zł
2 000	4,67217 zł	9 344,34 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	14,01000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,23230 zł

IPB60R160P6ATMA1