SIHB22N60E-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,64298 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 410
Cena jednostkowa : 17,38000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,18415 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 365
Cena jednostkowa : 17,38000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 9 892
Cena jednostkowa : 20,36000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 795
Cena jednostkowa : 25,21000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 095
Cena jednostkowa : 15,22000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5 926
Cena jednostkowa : 18,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 3 075
Cena jednostkowa : 15,05000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 207
Cena jednostkowa : 28,08000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,49463 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,96507 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 27,47000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 3 286
Cena jednostkowa : 17,13000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB22N60E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHB22N60E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHB22N60E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
86 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1920 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
227W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
180mOhm przy 11A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (22)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHB22N60E-E3Vishay Siliconix0SIHB22N60E-E3-ND6,64298 złOdpowiednik parametryczny
SIHB22N60ET1-GE3Vishay Siliconix410SIHB22N60ET1-GE3CT-ND17,38000 złOdpowiednik parametryczny
SIHB22N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60ET5-GE3-ND8,18415 złOdpowiednik parametryczny
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.365785-1247-1-ND17,38000 złSimilar
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.9 892785-1248-1-ND20,36000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
118,10000 zł18,10 zł
509,40580 zł470,29 zł
1008,56550 zł856,55 zł
5007,70586 zł3 852,93 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:18,10000 zł
Cena jednostkowa z VAT:22,26300 zł