


SIHB23N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB23N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB23N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 95 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2418 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 227W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 158mOhm przy 12A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 1 192 | 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND | 18,10000 zł | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 28,08000 zł | Similar |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | 3 286 | R6020KNJTLCT-ND | 17,13000 zł | Similar |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 515 | 497-15423-1-ND | 14,36000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 18,67000 zł | 18,67 zł |
| 50 | 9,68160 zł | 484,08 zł |
| 100 | 8,81110 zł | 881,11 zł |
| 500 | 7,28574 zł | 3 642,87 zł |
| 1 000 | 6,79595 zł | 6 795,95 zł |
| 2 000 | 6,38439 zł | 12 768,78 zł |
| 5 000 | 6,33327 zł | 31 666,35 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 18,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 22,96410 zł |

