Name: SPD18P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD18P06PGBTMA1TR-ND
Price: 7.5645 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SPD18P06PGBTMA1
Numer produktu DigiKey	SPD18P06PGBTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPD18P06PGBTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPD18P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD18P06PGBTMA1
Opis	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 18,6A (Tc) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD18P06PGBTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 13,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	860 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	80W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SPD18P06