Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 5.6703 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SPD04P10PLGBTMA1
Numer produktu DigiKey	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD04P10PLGBTMA1
Opis	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 4,2A (Tc) 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD04P10PLGBTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	850mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 380µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	372 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	38W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SPD04P10