Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 16.2114 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE046N08LM5CGSCATMA1
Opis	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE046N08LM5CGSCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15,6A (Ta), 99A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,6mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 47µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3250 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHTFN-9
Obudowa / skrzynia	9-PowerWDFN
Bazowy numer produktu	IQE046