Name: NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND
Price: 9.9507 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Numer produktu DigiKey	488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Opis	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 107A (Tc) 102W (Tc) Montaż powierzchniowy 9-WDFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	107A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,6mOhm przy 23A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 115µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2520 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	102W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	9-WDFN (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	9-PowerUDFN