Name: SI8499DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8499DB-T2-E1TR-ND
Price: 5.3013 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8499DB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8499DB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8499DB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8499DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8499DB-T2-E1
Opis	MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 16A (Tc) 2,77W (Ta), 13W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-Micro Foot™ (1,5x1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8499DB-T2-E1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Category Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30 nC @ 5 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1300 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,77W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-Micro Foot™ (1,5x1)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Tc)	Obudowa / skrzynia 6-UFBGA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI8499
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 32mOhm przy 1,5A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 0

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)