Name: ISC014N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC014N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 24.1695 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC014N08NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC014N08NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC014N08NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC014N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC014N08NM6ATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 3W (Ta), 254W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Ta), 279A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,45mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3.5V @ 144µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6800 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 254W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN