Name: IPT009N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 44.9565 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT009N08NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT009N08NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT009N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT009N08NM6ATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,95mOhm przy 150A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 278µA
Seria OptiMOS™ 6	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 186 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13000 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 43A (Ta), 425A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-1
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN