Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 28.044 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC022N10NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC022N10NM6ATMA1
Opis	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC022N10NM6ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,3V przy 147µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 91 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 6	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6880 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 254W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSON-8-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 25A (Ta), 230A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu ISC022N
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,24mOhm przy 50A, 10V