Name: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND
Price: 33.8988 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT008N06NM5LFATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT008N06NM5LFATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT008N06NM5LFATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT008N06NM5LFATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	454A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,8mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	980 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT008N