Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 20.7993 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUS200N08S5N023ATMA1
Numer produktu DigiKey	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUS200N08S5N023ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7670 pF @ 40 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 200W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOG-8-1
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSMD, Gull Wing
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 100A, 10V	Bazowy numer produktu IAUS200
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 130µA