Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 13.8252 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQE006NE2LM5SCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE006NE2LM5SCATMA1
Opis	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,58mOhm przy 20A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 82 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±16V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5453 pF @ 12 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-WHSON-8-1
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN