IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IPP65R420CFDXKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 488

Cena jednostkowa : 8,89000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 78

Cena jednostkowa : 12,70000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 9,09923 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 35

Cena jednostkowa : 23,57000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 742

Cena jednostkowa : 22,29000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 4,65157 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP65R420CFDXKSA1
Numer produktu DigiKey	IPP65R420CFDXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP65R420CFDXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 8,7A (Tc) 1,3A (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	420mOhm przy 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 340µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	870 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,3A (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP65R420