
IPP65R420CFDXKSA2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IPP65R420CFDXKSA2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPP65R420CFDXKSA2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 17 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 8,7A (Tc) 1,3A (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPP65R420CFDXKSA2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 420mOhm przy 3,4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 300µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 31.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 870 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 1,3A (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,17000 zł | 9,17 zł |
| 50 | 4,49600 zł | 224,80 zł |
| 100 | 4,04070 zł | 404,07 zł |
| 500 | 3,24162 zł | 1 620,81 zł |
| 1 000 | 2,98476 zł | 2 984,76 zł |
| 2 000 | 2,76878 zł | 5 537,56 zł |
| 5 000 | 2,62153 zł | 13 107,65 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,17000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,27910 zł |

















