IXFP14N60P jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

IXFH14N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,83000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT7S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

STP10N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 413
Cena jednostkowa : 1,74000 zł
Arkusz danych

Similar

STP10NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 1 989
Cena jednostkowa : 3,30000 zł
Arkusz danych

Similar

STP10NM60ND
STMicroelectronics
W magazynie: 626
Cena jednostkowa : 2,22000 zł
Arkusz danych

Similar

STP13N65M2
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,25000 zł
Arkusz danych

Similar

STP13NK60Z
STMicroelectronics
W magazynie: 740
Cena jednostkowa : 3,01000 zł
Arkusz danych

Similar

STP9NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,95000 zł
Arkusz danych

Similar

TK12E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,51000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 14A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFP14N60P

Numer produktu DigiKey
IXFP14N60P-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFP14N60P
Opis
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 14A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
HiPerFET™, Polar
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
550mOhm przy 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,5V przy 2,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2500 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
IXFP14
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3009,09923 zł2 729,77 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,09923 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,19205 zł